缺貨嗎?不缺;不缺貨?缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存,數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供給鏈?zhǔn)茏枰恢弊尠雽?dǎo)體廠商揪心,對此,業(yè)內(nèi)人士表示因?yàn)樵瓘S和分銷代辦代理商還有一定庫存,真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來,但海內(nèi)一些替換廠商和分銷商已開始囤糧漲價,甚至一些國產(chǎn)的內(nèi)存,數(shù)碼產(chǎn)品也開始跟風(fēng)漲價,更希奇的是一些非日系主流的器件也面對訂單緊迫的缺貨現(xiàn)象。
這里面不免存在炒作的成分,在嘆服這些人手段高超的同時也為之不解,日本一直以內(nèi)存,數(shù)碼產(chǎn)品以及電容,電感等被動器件在國際市場上據(jù)有重要比重,但為什么非此類器件,如MOSFET、IGBT也面對缺貨現(xiàn)象,深圳市銳駿半導(dǎo)體市場總監(jiān)朱兵解釋:“實(shí)在功率MOSFET一直處于供給吃緊態(tài)勢,加之此次地震影響,固然沒有對MOSFET供給鏈產(chǎn)生很大影響,但是良多廠商,特別是本土廠商,因?yàn)樾畔⑷狈唾Y金鏈短缺,擔(dān)心缺貨,所以會向供給商頻繁下訂單,這樣就形成了恐慌性缺貨現(xiàn)象。”
目前高端消費(fèi)類電子產(chǎn)品、電信、工控、汽車電子等市場用MOSFET仍由英飛凌、ST、飛兆等國外廠商把持,海內(nèi)廠商因?yàn)槠鸩捷^晚,在產(chǎn)品的功率密度、散熱和可靠性上,與國際大廠比擬均存在一定的差距。但是本土企業(yè)也具備一定上風(fēng),比猶如等規(guī)格的產(chǎn)品,性價比高,而且供貨不亂,交期短。跟著這幾年本土公司在技術(shù)和人力上加大投入,與國際廠商的差距正逐步縮小,已基本可以知足海內(nèi)市場的需求,深圳銳駿朱兵表示,我們現(xiàn)在可提供電壓20V-600V,電流從幾A到350A的MOSFET,導(dǎo)通電阻可以做到只有1.3mΩ,在一般低電壓高電流應(yīng)用中,普通整流二極管0.7V左右導(dǎo)通壓降,效率只能達(dá)到50%,而我們的MOSFET導(dǎo)通壓降低于 0.1V,這樣效率可以做到80%-90%。
此外,國外廠商受產(chǎn)能限制,不可能籠蓋所有客戶,而且海內(nèi)中小型客戶訂單量小分散,不固定,原廠和分銷商對這類公司也無暇顧及,因而這些公司就迫切需要專門針對這種需求的本土供給商。
深圳銳駿半導(dǎo)體目前的MOSFET產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動車控制器,電動工具,逆變器,UPS/EPS,適配器,動力電池保護(hù)板以及Portable DVD,LCD-TV,DVB,等領(lǐng)域,其中90%的產(chǎn)品主要針對海內(nèi)市場,目前主要的客戶有富士康,臺達(dá),長城電源,創(chuàng)科,高標(biāo),協(xié)昌,晶匯等。
在 MOSFET的制造工藝方面,銳駿跳過平面工藝,直接采用立體溝槽工藝,銳駿半導(dǎo)體高級應(yīng)用工程師鐘任生表示,平面型MOSFET體積和功耗較大,在縮小晶片面積后機(jī)能會大幅下降,不利于進(jìn)步功率密度和降低本錢,而立體溝槽工藝采用垂直結(jié)構(gòu),可以縮小晶片體積,但是散熱性還有待改善,目前MOSFET的主要工藝挫折包括:柵氧厚度,溝道長度、雜質(zhì)濃度及分布、LDD長度和雜質(zhì)濃度等,這些參數(shù)直接影響MOSFET的閾值電壓和擊穿電壓。
因?yàn)榻鹑谖C(jī)后積存的產(chǎn)能開釋,2010年MOSFET市場需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,但是進(jìn)入2011年,勢頭仍舊不減,朱兵表示:“在經(jīng)歷去年的增長后,我們的銷售額也翻了幾番,產(chǎn)能也不斷擴(kuò)充,但是還顯不夠,我們目前的月產(chǎn)能是15KK,而訂單需求至少有25KK,其中有部門是客戶的預(yù)付訂單,良多客戶擔(dān)心器件受地震影響,一次性預(yù)定幾個月甚至半年以上的貨源,這種恐慌性訂單讓我們的產(chǎn)能計劃和交期也受到一定影響?!?BR> “固然我們目前產(chǎn)能有些供不應(yīng)求,但是幾個月前我們已開始與代工廠協(xié)商產(chǎn)能擴(kuò)充計劃,預(yù)計到5月份這種情況會有所緩解?!?朱兵繼承道:“目前我們的交期在4-10周,比擬國外廠商要好良多,而且受日本地震的影響,今年MOSFET市場的缺貨現(xiàn)象可能仍將持續(xù)?!?BR> 在談及未來市場策略時,朱兵表示,在日本地震以及核泄露事件后,大家更加熟悉到綠色能源的重要性和安全性,我們也會鼎力拓展新能源市場,如太陽能逆變器,LED路燈,汽車HID燈市場,在產(chǎn)品線上,我們會繼承向上和向下進(jìn)行延伸,未來市場的需求可能集中于60V以下的低壓MOSFET和60V- 400V中壓大電流MOSFET,而在600V/50A以上的大電壓,大電流應(yīng)用,可能將會被IGBT取代,因此IGBT也是我們目前的一個研發(fā)方向,最快今年下半年,我們就會有IGBT產(chǎn)品面市。
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